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IRF510S, SiHF510S
Vishay Siliconix
400
V GS = 0 V, f = 1 MHz
320
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
175 ° C
240
160
80
0
C iss
C oss
C rss
10 0
10 -1
25 ° C
V GS = 0 V
10 0
10 1
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
91016_05
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91016_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
16
12
8
I D = 5.6 A
V DS = 80 V
V DS = 50 V
V DS = 20 V
10 2
5
2
10
5
2
1
Operation in this area limited
by R DS(on)
100 μs
1 ms
10 ms
4
0
0
2
4
6
For test circuit
see figure 13
8 10
5
2
0.1
1
2
5
10
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
2 5
10 2
2
5
10 3
91016_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91016_08
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91016
S11-1044-Rev. C, 30-May-11
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